DB35/T 1146-2011
硅材料中雜質(zhì)元素含量測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法
Determination of Impurity Element Content in Silicon Materials by Glow Discharge Mass Spectrometry
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- DB35/T 1146-2011
- 發(fā)布
- 2011年
- 總頁(yè)數(shù)
- 12頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 福建省地方標(biāo)準(zhǔn)
- 當(dāng)前最新
- DB35/T 1146-2011
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定硅材料中雜質(zhì)元素含量的輝光放電質(zhì)譜法（G D M S )所涉及的術(shù)語(yǔ)和定義、原理、試劑與材料、儀器設(shè)備、樣品要求、樣品要求、分析步驟、結(jié)果計(jì)算、允許偏差。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于純度不高于99.99999%的硅材料中的雜質(zhì)元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的測(cè)定